Компании Nantero и Fujitsu готовятся к началу производства энергонезависимой памяти NRAM на основе углеродных нанотрубок в 2018 году
Благодаря применению углеродных нанотрубок память NRAM обладает поистине выдающимися характеристиками. Она обладает быстродействием, сопоставимым с быстродействием динамической памяти DRAM, что в тысячу раз быстрее традиционной NAND Flash-памяти.
О высокой надежности NRAM-памяти говорит то, что она обеспечивает сохранность данных на протяжении 1000 лет при температуре окружающей среды не выше 85 градусов Цельсия, а при температуре до 300 градусов Цельсия срок хранения данных снижается до 10 лет.
Рабочее напряжение ячеек NRAM-памяти составляет 1 Вольт, а количество циклов перезаписи измеряется сотнями миллиардов. Новая память производится по стандартной CMOS-технологии и в перспективе размер каждой ячейки может быть уменьшен до 5 нанометров. Компания Fujitsu Semiconductor планирует выпустить на рынок первые образцы микросхем NRAM-памяти к концу 2018 года.
После этого начнется разработка целой линейки чипов новой памяти. Компания же Mie Fujitsu Semiconductor, которая является производителем микросхем, предложит своим клиентам уже готовые решения, в том числе специализированные микропроцессоры и микроконтроллеры, в состав которых будут входить массивы NRAM-памяти.